Infrared erbium photoluminescence enhancement in silicon carbide nano-pillars
Infrared erbium photoluminescence enhancement in silicon carbide nano-pillars
复制标题
碳化硅纳米柱中的红外铒光致发光增强
DOI：
10.1063/5.0055100
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发表时间：
2021
影响因子：
3.2
通讯作者：
Johnson B. C.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Parker R. A.;Dontschuk N.;Sato S.-I.;Lew C. T.-K.;Reineck P.;Nadarajah A.;Ohshima T.;Gibson B. C.;Castelletto S.;McCallum J. C.;Johnson B. C.
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DOI：
10.1016/0925-3467(96)00013-4
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Roberts;G. Parker;M. Hempstead
通讯作者：
M. Hempstead
影响因子：
4
作者：
M. Rühl;Ch. Ott;Stephan Götzinger;Michael Krieger;Heiko B. Weber
通讯作者：
M. Rühl;Ch. Ott;Stephan Götzinger;Michael Krieger;Heiko B. Weber
影响因子：
3.1
作者：
Castellettol, Stefania;Al Atem, Abdul Salam;Bluet, Jean Marie
通讯作者：
Bluet, Jean Marie
硅集成电路的固体浸没透镜增强非线性频率变化映射
DOI：
10.1063/1.3658873
发表时间：
2011
期刊：
Conference on Lasers and Electro-Optics
影响因子：
--
作者：
K. Serrels;C. Farrell;T. Lundquist;D. Reid;P. Vedagarbha
通讯作者：
P. Vedagarbha
Si 和 III-V 半导体中 1.54 μm Er3+ 发射的光致发光衰减
DOI：
10.1049/el:19881025
发表时间：
1988
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Klein;G. S. Pomrenke
通讯作者：
G. S. Pomrenke