Revolutional Progress of Silicon Device due to Radical Reaction Based Semiconductor Manufacturing Technologies
Revolutional Progress of Silicon Device due to Radical Reaction Based Semiconductor Manufacturing Technologies
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基于自由基反应的半导体制造技术带来硅器件的革命性进步
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tadahiro Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
脇岡敏之;他;山元大輔;Tadahiro Ohmi
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使用累积模式全耗尽绝缘体上硅器件提高迁移率和低闪烁噪声 MOS 晶体管的影响
DOI：
10.1109/icsict.2006.306078
发表时间：
2006
期刊：
2006 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceedings
影响因子：
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作者：
W. Cheng;A. Teramoto;P. Gaubert;M. Hirayama;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
Si3N4/Si界面结构及其与C-V曲线磁滞相关性的高分辨率X射线光电子能谱研究
DOI：
10.1149/ma2005-02/19/748
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
Masaaki Higuchi;A. Teramoto;M. Komura;S. Shinagawa;E. Ikenaga;H. Nohira;Keisuke L. I. Kobayashi;T. Hattori;S. Sugawa;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
用于模拟/数字混合信号电路的 Si(100) 表面低噪声平衡 CMOS
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
2003 IEEE International ELECTRON DEVICES MEETING
影响因子：
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作者：
A.Teramoto;T.Hamada;H.Akahori;K.Nii;T.Suwa;K.Kotani;M.Hirayama;S.Sugawa;T.Ohmi
通讯作者：
T.Ohmi
一种降低 ULSI 应用闪烁噪声的技术
影响因子：
1.5
作者：
Koutarou Tanaka;Kazufumi Watanabe;Hideaki Ishino;S. Sugawa;A. Teramoto;M. Hirayama;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
通过湿化学处理对 Si(001) 表面进行原子级平坦化和氢封端
DOI：
10.1116/1.580403
发表时间：
1996
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
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作者：
Y. Morita;H. Tokumoto
通讯作者：
H. Tokumoto