Improved observation contrast of block-copolymer nanodot pattern using carbon hard mask (CHM)
Improved observation contrast of block-copolymer nanodot pattern using carbon hard mask (CHM)
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使用碳硬掩模 (CHM) 改善嵌段共聚物纳米点图案的观察对比度
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and S. Hosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Akahane;T. Komori;J. Liu;M. Huda;Z. Mohamad;Y. Yin;and S. Hosaka
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使用二嵌段共聚物自组装纳米点制造
DOI：
10.4028/www.scientific.net/kem.459.120
发表时间：
2010
期刊：
Key Engineering Materials
影响因子：
--
作者：
M. Huda;Y. Yin;S. Hosaka
通讯作者：
S. Hosaka
通过刷子处理对规则排列的 PS-PDMS 自组装纳米点图案进行引导图案功能化
DOI：
10.4028/www.scientific.net/kem.497.116
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Akahane;M. Huda;Takuro Tamura;Y. Yin;S. Hosaka
通讯作者：
S. Hosaka
EB写入形成的位距和磁道距为25nm的纳米点阵列，用于1Tb/in2存储
DOI：
10.1016/j.mee.2007.01.119
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Hosaka;H. Sano;Masumi Shirai;Y. Yin;H. Sone
通讯作者：
H. Sone
离子束蚀刻过程中样品倾斜和旋转对离子蚀刻结构的影响
DOI：
10.1116/1.569833
发表时间：
1978
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
S. Hosaka;S. Hashimoto
通讯作者：
S. Hashimoto
使用 30 keV EB 在薄杯芳烃抗蚀剂上绘图，为图案化介质形成节距为 20 nm × 20 nm 的点阵列
影响因子：
3.5
作者：
Zulfakri bin Mohamad;Masumi Shirai;H. Sone;S. Hosaka;M. Kodera
通讯作者：
M. Kodera