In-situ observation of crystal/melt interface morphology during directional solidification of semiconductor materials
In-situ observation of crystal/melt interface morphology during directional solidification of semiconductor materials
复制标题
半导体材料定向凝固过程中晶体/熔体界面形貌的原位观察
DOI：
--
复制
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kozo Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Izuru Ohki;Kohki Morita;Norikazu Mizuochi;Kozo Fujiwara
登录
查看更多内容
GaSb定向凝固过程中小面枝晶生长的原位观察
影响因子：
6
作者：
Keiji Shiga;Masato Kawano;Kensaku Maeda;Haruhiko Morito;Kozo Fujiwara
通讯作者：
Kozo Fujiwara
从 SPS 烧结喂料棒开始通过浮区法生长 Si1−xGex 晶体 – 偏析研究
影响因子：
1.8
作者：
A. Wagner;A. Cröll;H. Hillebrecht
通讯作者：
H. Hillebrecht
Ge1-xSix 合金中的位错解离和堆垛层错能
影响因子：
1.2
作者：
I. Yonenaga;S. Lim;D. Shindo
通讯作者：
D. Shindo
采用直拉技术自动生长具有恒定轴向梯度的 Si1−xGex 单晶
DOI：
10.1002/crat.201900097
发表时间：
2019
期刊：
Crystal research and technology (1981)
影响因子：
--
作者：
N. Abrosimov;V. Kurlov;R. Schewski;J. Winkler
通讯作者：
J. Winkler
两英寸 Si 0.5 Ge 0.5 大块单晶的生长
DOI：
10.7567/ssdm.2014.c-8-1
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Kinoshita;Y. Arai;O. Nakatsuka;Keisuke Taguchi;H. Tomioka;R. Tanaka;S. Yoda
通讯作者：
S. Yoda