Comparison and improvement of two core compact models for double-gate MOSFETs
Comparison and improvement of two core compact models for double-gate MOSFETs
复制标题
双栅MOSFET两种核心紧凑模型的比较与改进
DOI：
10.1016/j.sse.2010.06.020
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发表时间：
2010-11
影响因子：
1.7
通讯作者：
Lining Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhize Zhou;Xing Zhang;Jin He;Jian Zhang;Chenyue Ma;Xingye Zhou;Lining Zhang
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影响因子：
3.1
作者：
A. Sahoo;P. K. Thakur;S. Mahapatra
通讯作者：
A. Sahoo;P. K. Thakur;S. Mahapatra
影响因子：
1.7
作者：
G. Dessai;G. Gildenblat
通讯作者：
G. Dessai;G. Gildenblat
影响因子：
20.6
作者：
Taur, Y;Buchanan, DA;Wong, HS
通讯作者：
Wong, HS
影响因子：
3.1
作者：
A. Ortiz-Conde;F. García-Sánchez;S. Malobabic
通讯作者：
A. Ortiz-Conde;F. García-Sánchez;S. Malobabic
影响因子：
3.1
作者：
Huaxin Lu;Y. Taur
通讯作者：
Huaxin Lu;Y. Taur