Study on the Intrinsic Origin of Output Capacitor Hysteresis in Advanced Superjunction MOSFETs
Study on the Intrinsic Origin of Output Capacitor Hysteresis in Advanced Superjunction MOSFETs
复制标题
先进超级结 MOSFET 输出电容磁滞的本质根源研究
DOI：
10.1109/led.2019.2924512
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发表时间：
2019-06
影响因子：
4.9
通讯作者：
Lin Zhi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lin Zhi
从大信号测量中提取的超结（SJ） MOSFET输出电容${C}_{\text {OSS}}$最近被发现具有迟滞特性。这让
The output capacitor ${C}_{\text {OSS}}$ of the superjunction (SJ) MOSFET extracted from large-signal measurements has recently been found to have hysteresis characteristic. This let
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影响因子：
6.7
作者：
M. Kasper;R. Burkart;G. Deboy;J. Kolar
通讯作者：
M. Kasper;R. Burkart;G. Deboy;J. Kolar
影响因子：
3.1
作者：
G. Zulauf;Jaume Roig-Guitart;J. Plummer;J. Rivas-Davila
通讯作者：
G. Zulauf;Jaume Roig-Guitart;J. Plummer;J. Rivas-Davila
DOI：
--
发表时间：
2014-05
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Gaito;C. Stella;G. Ardita
通讯作者：
A. Gaito;C. Stella;G. Ardita
DOI：
10.1109/speedam.2018.8445347
发表时间：
2018-06
期刊：
2018 International Symposium on Power Electronics, Electrical Drives, Automation and Motion (SPEEDAM)
影响因子：
--
作者：
A. Raciti;S. Rizzo;N. Salerno;G. Susinni;R. Scollo;Alfio Scuto
通讯作者：
A. Raciti;S. Rizzo;N. Salerno;G. Susinni;R. Scollo;Alfio Scuto
DOI：
10.1109/ispsd.2018.8393621
发表时间：
2018-05
期刊：
2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
影响因子：
--
作者：
G. Zulauf;J. Rivas-Davila
通讯作者：
G. Zulauf;J. Rivas-Davila