p-Type Sb-Doped ZnO Thin Films Prepared by Metallorganic Chemical Vapor Deposition Using Metallorganic Dopant
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利用金属有机掺杂剂通过金属有机化学气相沉积法制备 p 型 Sb 掺杂 ZnO 薄膜
DOI：
10.1149/1.2980342
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发表时间：
2008-12
影响因子：
--
通讯作者：
Du, G. T.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun, J. C.;Hu, L. Z.;Zhao, Z. W.;Zhao, J. Z.;Bian, J. M.;Zhang, H. Q.;Feng, Q. J.;Liang, H. W.;Du, G. T.
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，以三甲基锑为掺杂前驱体，在c面蓝宝石衬底上制备了可重复生长的p型Sb掺杂ZnO薄膜。Sb以p型掺杂方式引入ZnO薄膜中，
Reproducible p-type Sb-doped ZnO thin films were fabricated on c-plane sapphire substrates by the metallorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique using trimethylantimony as the doping precursor. Sb was introduced into ZnO thin films as a p-type
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