Fabrication of Sb-doped p-type ZnO thin films by pulsed laser deposition
Fabrication of Sb-doped p-type ZnO thin films by pulsed laser deposition
复制标题
脉冲激光沉积法制备 Sb 掺杂 p 型 ZnO 薄膜
DOI：
10.1016/j.apsusc.2006.11.014
复制
发表时间：
2007-03
影响因子：
6.7
通讯作者：
Ye, Zhizhen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pan, Xinhua;Zeng, Yujia;Zhu, Liping;Li, Jiesheng;Che, Yong;Gu, Xiuquan;He, Haiping;Ye, Zhizhen
采用脉冲激光沉积方法，通过单掺杂Sb受主，制备了p型ZnO薄膜。所获得的具有最佳电性能的薄膜显示出约1018 cm-3的空穴浓度和2-4Ωcm的电阻率。X射线衍射分析表明，薄膜具有良好的结晶性，具有（002）择优取向。通过X射线光电子能谱分析和ZnO中大尺寸失配V族掺杂模型的指导，认为Sb掺杂p型ZnO薄膜中最可能的受主是SbZn-2 VZn配合物。
p-Type ZnO thin films have been realized via monodoping antimony (Sb) acceptor by using pulsed laser deposition. The obtained films with the best electrical properties show a hole concentration in the order of 1018cm−3and resistivity in the range of 2–4Ωcm. X-ray diffraction measurements revealed that all the films possessed a good crystallinity with (002)-preferred orientation. Guided by X-ray photoemission spectroscopy analysis and a model for large-sized-mismatched group-V dopant in ZnO, an SbZn–2VZncomplex is believed to be the most possible acceptor in the Sb-doped p-type ZnO thin films.
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
J. Rommeluère;L. Švob;F. Jomard;J. Mimila-Arroyo;A. Lusson;V. Sallet;Y. Marfaing
通讯作者：
J. Rommeluère;L. Švob;F. Jomard;J. Mimila-Arroyo;A. Lusson;V. Sallet;Y. Marfaing
DOI：
10.1002/1521-3951(200201)229:2
发表时间：
2002
影响因子：
1.6
作者：
J. Takeda;H. Jinnouchi;S. Kurita;Yefan Chen;T. Yao
通讯作者：
J. Takeda;H. Jinnouchi;S. Kurita;Yefan Chen;T. Yao
影响因子：
4
作者：
F. Xiu;Zheng Yang;L. J. Mandalapu;Dengtao Zhao;Jianlin Liu;W. Beyermann
通讯作者：
F. Xiu;Zheng Yang;L. J. Mandalapu;Dengtao Zhao;Jianlin Liu;W. Beyermann
影响因子：
1.8
作者：
Weizhong Xu;Z. Ye;Tingting Zhou;Binghui Zhao;Li-ping Zhu;Jingyun Huang
通讯作者：
Weizhong Xu;Z. Ye;Tingting Zhou;Binghui Zhao;Li-ping Zhu;Jingyun Huang
影响因子：
4
作者：
D. Look;G. Renlund;R. Burgener;J. Sizelove
通讯作者：
D. Look;G. Renlund;R. Burgener;J. Sizelove