Improving the Electrical Properties of Zr-Doped Bi3.15Nd0.85Ti3O12 Thin Films by Engineering Polarization Rotation
Improving the Electrical Properties of Zr-Doped Bi3.15Nd0.85Ti3O12 Thin Films by Engineering Polarization Rotation
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通过工程偏振旋转改善 Zr-DopedBi3.15Nd0.85Ti3O12 薄膜的电性能
DOI：
10.1007/s11664-016-4508-3
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发表时间：
2016-04
影响因子：
2.1
通讯作者：
Tang Minghua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Feng;Guo Yichen;Zong Zhihao;Hao Xuehong;Shi Yiwen;Tang Minghua
采用化学溶液沉积法制备了Nd 3 +/Zr 4+共取代钛酸铋（BNTZx，x = 0，0.05，0.1，0.3，0.5）薄膜，并研究了薄膜的极化磁滞回线、漏电流和电容蝶形回线。结果表明，当Zr含量x = 0.1时，电容和极化强度都有较大的提高。BNTZ 0.1薄膜在3 V的外加电压下也表现出无疲劳、优异的漏电流特性（I ≤ 9.44 × 10−9 A）。制备了具有改善的电性能的高质量c轴取向的BNTZx = 0.1薄膜;这一发现支持了铁电钛酸铋中工程极化旋转的可行性（如Roy等人在理论上所建议的那样）。应用物理学快报。102：182901，2013）。
Nd3+/Zr4+-cosubstituted bismuth titanate (BNTZx, x = 0, 0.05, 0.1, 0.3, and 0.5) thin films have been fabricated by chemical solution deposition and their polarization hysteresis loops, leakage current, and capacitance butterfly loops investigated. Results show that, at Zr content of x = 0.1, both capacitance and remanent polarization can be greatly improved. The BNTZ0.1 film also exhibits fatigue-free, excellent leakage current characteristics (I ≈ 9.44 × 10−9 A) at applied voltage of 3 V. High-quality c-axis-oriented BNTZx = 0.1 films with improved electrical properties were fabricated; this finding supports the feasibility of engineering polarization rotation in ferroelectric bismuth titanate (as suggested theoretically by Roy et al. in Appl. Phys. Lett. 102:182901, 2013).
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影响因子：
4
作者：
Byung-Eun Park;T. Noh;J. Lee;C. Kim;W. Jo
通讯作者：
Byung-Eun Park;T. Noh;J. Lee;C. Kim;W. Jo
影响因子：
4
作者：
A. Simões;M. A. Ramirez;N. A. Perruci;C. Riccardi;E. Longo;J. Varela
通讯作者：
A. Simões;M. A. Ramirez;N. A. Perruci;C. Riccardi;E. Longo;J. Varela
影响因子：
4
作者：
S. T. Zhang;X. Zhang;Hong-Wei Cheng;Yan-feng Chen;Zu-liang Liu;N. Ming;Xiaobo Hu;Jun Wang
通讯作者：
S. T. Zhang;X. Zhang;Hong-Wei Cheng;Yan-feng Chen;Zu-liang Liu;N. Ming;Xiaobo Hu;Jun Wang
影响因子：
2.1
作者：
Shantao Zhang;Hong-Wei Cheng;Yan-feng Chen;Chunkang Song;Jia Wang;Yidong Xia;Xiaoning Zhao;Zhi-guo Liu;N. Ming
通讯作者：
Shantao Zhang;Hong-Wei Cheng;Yan-feng Chen;Chunkang Song;Jia Wang;Yidong Xia;Xiaoning Zhao;Zhi-guo Liu;N. Ming
DOI：
10.1088/0022-3727/39/23/020
发表时间：
2006-12
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Dongyun Guo;Meiya Li;Ling Pei;Benfang Yu;Gengzhu Wu;Xingliang Zhao;Yunbo Wang;Jun Yu
通讯作者：
Dongyun Guo;Meiya Li;Ling Pei;Benfang Yu;Gengzhu Wu;Xingliang Zhao;Yunbo Wang;Jun Yu