GaAs epitaxial growth on R-plane sapphire substrate
GaAs epitaxial growth on R-plane sapphire substrate
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R面蓝宝石衬底上的GaAs外延生长
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125848
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发表时间：
2020
影响因子：
1.8
通讯作者：
Salamo, Gregory J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Saha, Samir K.;Kumar, Rahul;Kuchuk, Andrian;Stanchu, Hryhorii;Mazur, Yuriy I.;Yu, Shui-Qing;Salamo, Gregory J.
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通讯作者：
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