Growth of complex SiGe/Ge superlattices by reduced pressure chemical vapour deposition at low temperature
Growth of complex SiGe/Ge superlattices by reduced pressure chemical vapour deposition at low temperature
复制标题
低温减压化学气相沉积复杂SiGe/Ge超晶格的生长
DOI：
10.1088/0268-1242/30/11/114009
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发表时间：
2015
影响因子：
1.9
通讯作者：
Halpin J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Halpin J
在这项工作中，复杂的n型，高锗含量的超晶格结构的生长，减压化学气相沉积。该结构的特征在于14层周期的50次重复，其包括在13 nm和21 nm之间宽的主量子阱。外延层总厚度约为8 μm。通过使用低的生长温度，使结构中的扩散和偏析最小化。材料表征表明该结构具有良好的结晶质量，所有层的厚度接近设计，突变界面和整个结构的均匀性。高角度环形暗场扫描透射电子显微镜被证明是一种理想的技术，用于测量这些结构中的层厚度和界面质量。
In this work the growth of complex n-type, high Ge content superlattice structures by reduced pressure chemical vapor deposition is presented. The structures feature 50 repeats of a 14 layer period, which includes a main quantum well that is between 13 and 21 nm wide. The total epitaxy thickness is approximately 8 μm. Diffusion and segregation in the structures was minimized by using a low growth temperature. Materials characterization shows the structures to be of good crystalline quality, with the thickness of all layers close to the design, abrupt interfaces, and uniformity throughout the structures. High angle annular dark field scanning transmission electron microscopy is shown to be an ideal technique for measuring layer thickness and interface quality in these structures.
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