Low-Capacitance SCR Structure for RF I/O Application
Low-Capacitance SCR Structure for RF I/O Application
复制标题
适用于 RF I/O 应用的低电容 SCR 结构
DOI：
10.1109/temc.2012.2216271
复制
发表时间：
2013-04
影响因子：
2.1
通讯作者：
Liou Juin J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dong Shurong;Miao Meng;Wu Jian;Zeng Jie;Liu Zhiwei;Liou Juin J.
对基于二极管和可控硅的射频I/O静电放电（ESD）保护器件的ESD和射频性能进行了评估。不同的结构，布局设计和金属互连，候选器件表现出不同的寄生电容，ESD效率，和打开速度。验证了进一步RF I/O应用的潜在解决方案。
Electrostatic discharge (ESD) devices based on diodes and silicon controlled rectifier for RF I/O protection are evaluated on both ESD and RF performance. Varying from the architecture, layout design and metal interconnection, candidate devices show different parasitic capacitance, ESD efficiency, and turn on speed. Potential solution for further RF I/O application is verified.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/iitc.2004.1345728
发表时间：
2004-06
期刊：
Proceedings of the IEEE 2004 International Interconnect Technology Conference (IEEE Cat. No.04TH8729)
影响因子：
--
作者：
Y. Tretiakov;K. Vaed;D. Ahlgren;J. Rascoe;S. Venkatadri;Wayne H. Woods
通讯作者：
Y. Tretiakov;K. Vaed;D. Ahlgren;J. Rascoe;S. Venkatadri;Wayne H. Woods
影响因子：
--
作者：
M. Ker;Yuan-Wen Hsiao
通讯作者：
M. Ker;Yuan-Wen Hsiao
DOI：
10.1109/tdmr.2008.918984
发表时间：
2008-06
影响因子：
2
作者：
H. Sarbishaei;O. Semenov;M. Sachdev
通讯作者：
H. Sarbishaei;O. Semenov;M. Sachdev
影响因子：
3.1
作者：
M. Ker;Chung-Yu Wu
通讯作者：
M. Ker;Chung-Yu Wu
DOI：
10.1109/16.830987
发表时间：
2000-04
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
T. Kolding
通讯作者：
T. Kolding