Evaluation of TiN Gate AlGaN/GaN HFET
Evaluation of TiN Gate AlGaN/GaN HFET
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TiN 栅极 AlGaN/GaN HFET 评估
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J P. Ao;et. al.
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DOI：
10.1143/jjap.45.l1048
发表时间：
2006-10-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
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作者：
Fujii, Takahiro;Tsuyukuchi, Norio;Akasaki, Isamu
通讯作者：
Akasaki, Isamu
使用 WN/sub X/ 作为 InGaP-GaAs HBT 互连铜金属化的扩散势垒
影响因子：
3.1
作者：
Shang;E. Chang;Cheng;Ke;Chao;Tung
通讯作者：
Tung
n型InGaAs Cu/Ge/Pd欧姆接触形成机理研究
影响因子：
2.1
作者：
Y. Lin;Sheng;Tin;Y. Wong;K. Chen;E. Chang
通讯作者：
E. Chang
Ta势垒中掺入氧化铈对Cu/Ta/Si异质结构热稳定性的影响
影响因子：
3.2
作者：
D. Yoon;H. Baik;Sung
通讯作者：
Sung
用于硅衬底上 GaN 高电子迁移率晶体管的 Ti/Pt/Ti/Cu 金属化互连
影响因子：
2.3
作者：
Yueh;Tza;Yu;Chien;Chia‐Hua Chang;K. Huang;E. Chang
通讯作者：
E. Chang