Properties and device performance of BN thin films grown on GaN by pulsed laser deposition
Properties and device performance of BN thin films grown on GaN by pulsed laser deposition
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脉冲激光沉积在 GaN 上生长的 BN 薄膜的特性和器件性能
DOI：
10.1063/5.0092356
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发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
Kannan, Harikishan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Biswas, Abhijit;Xu, Mingfei;Fu, Kai;Zhou, Jingan;Xu, Rui;Puthirath, Anand B.;Hachtel, Jordan A.;Li, Chenxi;Iyengar, Sathvik Ajay;Kannan, Harikishan
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使用激光分子束外延在蓝宝石 (0001) 上生长的外延 GaN 层的结构和电子特性
影响因子：
2.3
作者：
S. S. Kushvaha;M. Kumar;M. Maheshwari;A. K. Shukla;P. Pal;K. Maurya
通讯作者：
K. Maurya
超宽禁带半导体
影响因子：
--
作者：
Andrew A. Allerman;Andy Armstrong;Mary Crawford;G. Pickrell;J. Dickerson;J. Flicker;Jason Neely;Elizabeth Paisley;Albert Baca;Brianna Klein;Erica Douglas;Shahed Reza;A. Binder;L. Yates;O. Slobodyan;P. Sharps;Jerry Simmons;Jeff Tsao;Ken Jones Arl;Aivars Lelis Arl;Ron Green Arl;Dimitris Pavlidis
通讯作者：
Dimitris Pavlidis
影响因子：
1
作者：
Acacia, N.;Fazio, E.;Santo, N.
通讯作者：
Santo, N.
使用在 GaN 和 SiC 上生长的界面 BN 层制造的金属-绝缘体-半导体肖特基势垒结构，用于光电器件应用
DOI：
10.1116/1.581802
发表时间：
1999
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
D. Starikov;N. Badi;I. Berishev;N. Medelci;O. Kameli;M. Sayhi;V. Zomorrodian;A. Bensaoula
通讯作者：
A. Bensaoula
影响因子：
2.1
作者：
W. Kulisch;R. Freudenstein;A. Klett;M. Plass
通讯作者：
M. Plass