Monolithically Integrated InAsSb-Based nBnBn Heterostructure on GaAs for Infrared Detection
Monolithically Integrated InAsSb-Based nBnBn Heterostructure on GaAs for Infrared Detection
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用于红外检测的 GaAs 上单片集成 InAsSb 基 nBnBn 异质结构
DOI：
10.1109/jstqe.2018.2828101
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发表时间：
2018
影响因子：
4.9
通讯作者：
Xie C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xie C
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使用异质晶格界面在单独的吸收和倍增结构中具有 GaSb 吸收区域的 GaAs 和 AlGaAs APD
影响因子：
3.3
作者：
A. Marshall;A. Craig;C. Reyner;D. Huffaker
通讯作者：
D. Huffaker
用于室温视频速率成像的单芯片中红外阵列
影响因子：
10.4
作者：
Xie C
通讯作者：
Xie C
影响因子：
3.1
作者：
J. Antoszewski;N. Akhavan;G. Umana;R. Gu;W. Lei;L. Faraone
通讯作者：
L. Faraone
有源 InSb 基中红外光电像素与 GaAs MESFET 的单片集成
影响因子：
3.1
作者：
Chengzhi Xie;V. Pusino;A. Khalid;M. Steer;M. Sorel;I. Thayne;D. Cumming
通讯作者：
D. Cumming
采用 nBn 设计的 InAsSb 基红外探测器的性能
影响因子：
1.6
作者：
S. Myers;A. Khoshakhlagh;J. Mailfert;P. Wanninkhof;E. Plis;M. N. Kutty;H. Kim;N. Gautam;B. Klein;E. Smith;S. Krishna
通讯作者：
S. Krishna