Light-responsive vertical-structure light-emitting diode
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光响应垂直结构发光二极管
DOI：
10.1088/1361-6641/ab760d
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发表时间：
2020-03
影响因子：
1.9
通讯作者：
Wang Yongjin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Zheng;Zhou Qinyan;Ni Shuyu;Zhu Hongbo;Wang Yongjin
垂直结构发光二极管（VSLEDs）是可见光通信，高功率固态照明和显示的有前途的候选者。在这里，我们提出，制造和表征光响应vsled，实现在一个2英寸的金属基键合iii -氮化硅晶圆。对厚外延薄膜进行减薄，去掉硬掩模，减少了受限光模的数量，提高了光提取效率。由于其发射光谱和探测光谱之间的重叠，vsled表现出光响应发光现象，并在实验中展示了全双工光通信，为各种新型物联网应用开辟了有前途的方法。
Vertical-structure light-emitting diodes (VSLEDs) are promising candidates for visible light communication, high-power solid-state lighting and display. Here, we propose, fabricate and characterize light-responsive VSLEDs, which are implemented on a 2-inch metal-based bonded III-nitride-on-silicon wafer. Thick epitaxial films are thinned without hard mask to reduce the number of confined optical modes, enhancing the light extraction efficiency. Owing to the overlap between its emission and detection spectra, the VSLEDs exhibit light-responsive light-emitting phenomenon and experimentally demonstrate full-duplex light communication, opening promising approaches toward a variety of novel internet of things applications.
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