High efficiency membrane light emitting diode fabricated by back wafer thinning technique
High efficiency membrane light emitting diode fabricated by back wafer thinning technique
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背面晶圆减薄技术制备高效薄膜发光二极管
DOI：
10.1063/1.4890859
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发表时间：
2014-07
影响因子：
4
通讯作者：
Wang, Yongjin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Xin;Shi, Zheng;Zhu, Gangyi;Zhang, Miao;Zhu, Hongbo;Wang, Yongjin
我们展示了双面工艺的背面晶圆减薄的外延膜，从而导致独立膜发光二极管（LED）的硅基GaN平台上的性能改善。电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）和
We demonstrate the double-side process for back wafer thinning of epitaxial film which leads to improved performance of freestanding membrane light emitting diode (LED) on GaN-on-silicon platform. The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V), and
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DOI：
10.1007/s00340-010-4131-6
发表时间：
2010-07
期刊：
Applied Physics B
影响因子：
--
作者：
Yongjin Wang;F. Hu;Y. Kanamori;Tong Wu;K. Hane
通讯作者：
Yongjin Wang;F. Hu;Y. Kanamori;Tong Wu;K. Hane
DOI：
10.1007/s00542-010-1151-4
发表时间：
2011
期刊：
Microsystem Technologies
影响因子：
--
作者：
M. Wakui;H. Sameshima;F. Hu;K. Hane
通讯作者：
M. Wakui;H. Sameshima;F. Hu;K. Hane
影响因子：
3.8
作者：
K. Lau;K. Wong;Xinbo Zou;Peng-Ren Chen
通讯作者：
K. Lau;K. Wong;Xinbo Zou;Peng-Ren Chen
影响因子：
3.2
作者：
Tian, Pengfei;McKendry, Jonathan J. D.;Dawson, Martin D.
通讯作者：
Dawson, Martin D.
DOI：
10.1002/pssc.200983527
发表时间：
2010-07
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
Xinbo Zou;Hu Liang;K. Lau
通讯作者：
Xinbo Zou;Hu Liang;K. Lau