AlGaN/GaN High Electron-mobility Varactors on Silicon Substrate
AlGaN/GaN High Electron-mobility Varactors on Silicon Substrate
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硅衬底上的 AlGaN/GaN 高电子迁移率变容二极管
DOI：
10.23919/gemic.2019.8698186
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
O. Ambacher
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Amirpour;D. Schwantuschke;P. Brueckner;R. Quay;O. Ambacher
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