Large-Signal Modeling of a Scalable High- ${Q}$ AlGaN/GaN High Electron-Mobility Varactor
Large-Signal Modeling of a Scalable High- ${Q}$ AlGaN/GaN High Electron-Mobility Varactor
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可扩展高${Q}$ AlGaN/GaN 高电子迁移率变容二极管的大信号建模
DOI:
10.1109/tmtt.2018.2890472
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发表时间:
2019
影响因子:
4.3
通讯作者:
O. Ambacher
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
R. Amirpour;D. Schwantuschke;F. van Raay;P. Brueckner;R. Quay;O. Ambacher
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影响因子:
3.1
作者:
F. Svelto;S. Manzini;R. Castello
通讯作者:
R. Castello
影响因子:
3.1
作者:
M. Tiggelman;K. Reimann;F. van Rijs;J. Schmitz;R. Hueting
通讯作者:
R. Hueting
DOI:
10.23919/gemic.2018.8335056
发表时间:
2018
期刊:
2018 11th German Microwave Conference (GeMiC)
影响因子:
--
作者:
F. van Raay;D. Schwantuschke;A. Leuther;P. Brückner;D. Peschel;R. Quay;M. Schlechtweg
通讯作者:
M. Schlechtweg
DOI:
10.1109/eumic.2015.7345158
发表时间:
2015
期刊:
2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
影响因子:
--
作者:
A. Hamdoun;L. Roy;M. Himdi;O. Lafond
通讯作者:
O. Lafond
影响因子:
5.6
作者:
Purroy, F;Pradell, L
通讯作者:
Pradell, L