Large-Signal Modeling of a Scalable High- ${Q}$ AlGaN/GaN High Electron-Mobility Varactor

Large-Signal Modeling of a Scalable High- ${Q}$ AlGaN/GaN High Electron-Mobility Varactor
复制标题

可扩展高${Q}$ AlGaN/GaN 高电子迁移率变容二极管的大信号建模

DOI:
10.1109/tmtt.2018.2890472
复制
发表时间:
2019
影响因子:
4.3
通讯作者:
O. Ambacher
O. Ambacher
中科院分区:
工程技术1区
文献类型:
--
作者:
R. Amirpour;D. Schwantuschke;F. van Raay;P. Brueckner;R. Quay;O. Ambacher

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

采用标准 CMOS 技术的 RF IC 三端子变容二极管
DOI: 10.1109/16.831011
发表时间: 2000
影响因子: 3.1
作者:
F. Svelto;S. Manzini;R. Castello
通讯作者: R. Castello
可调谐高频电容器品质因数与调谐比之间的权衡
DOI: 10.1109/ted.2009.2026391
发表时间: 2009
影响因子: 3.1
作者:
M. Tiggelman;K. Reimann;F. van Rijs;J. Schmitz;R. Hueting
通讯作者: R. Hueting
现代微波 III-V HEMT 中的低频色散和状态依赖性
DOI: 10.23919/gemic.2018.8335056
发表时间: 2018
期刊: 2018 11th German Microwave Conference (GeMiC)
影响因子: --
作者:
F. van Raay;D. Schwantuschke;A. Leuther;P. Brückner;D. Peschel;R. Quay;M. Schlechtweg
通讯作者: M. Schlechtweg
GaN 基 HEMT 作为变容二极管器件的表征
DOI: 10.1109/eumic.2015.7345158
发表时间: 2015
期刊: 2015 10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
影响因子: --
作者:
A. Hamdoun;L. Roy;M. Himdi;O. Lafond
通讯作者: O. Lafond
DOI: 10.1109/19.963202
发表时间: 2001-10-01
影响因子: 5.6
作者:
Purroy, F;Pradell, L
通讯作者: Pradell, L