Photoluminescence efficiency of zincblende InGaN/GaN quantum wells
Photoluminescence efficiency of zincblende InGaN/GaN quantum wells
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闪锌矿InGaN/GaN量子阱的光致发光效率
DOI：
10.1063/5.0046649
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发表时间：
2021
影响因子：
3.2
通讯作者：
Church S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Church S
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生长温度和 V/III 比对 MOVPE 生长的立方闪锌矿 GaN 表面形貌的影响
影响因子：
3.2
作者：
Lee L
通讯作者：
Lee L
影响因子：
4
作者：
H. Okumura;S. Yoshida;T. Okahisa
通讯作者：
H. Okumura;S. Yoshida;T. Okahisa
堆垛层错对立方GaN外延层和立方GaN/AlN多量子阱光发射影响的STEM-CL研究
DOI：
10.1002/pssc.201400154
发表时间：
2015
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
R. M. Kemper;P. Veit;C. Mietze;Anja Dempewolf;T. Wecker;F. Bertram;J. Christen;J. Lindner;D. As
通讯作者：
D. As
闪锌矿InGaN/GaN量子阱结构的光学特性及与实验的比较
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
Park Seoung;Lee Yong
通讯作者：
Lee Yong
RF-MBE 生长六方和立方 GaN 的比较研究
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
G. Feuillet;F. Widmann;B. Daudin;J. Schuler;M. Arlery;J. Rouviere;N. Pelekanos;O. Briot
通讯作者：
O. Briot