Effect of growth temperature and V/III-ratio on the surface morphology of MOVPE-grown cubic zincblende GaN
Effect of growth temperature and V/III-ratio on the surface morphology of MOVPE-grown cubic zincblende GaN
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生长温度和 V/III 比对 MOVPE 生长的立方闪锌矿 GaN 表面形貌的影响
DOI：
10.1063/1.5046801
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发表时间：
2018
影响因子：
3.2
通讯作者：
Lee L
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lee L
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在具有薄平坦 SiC 缓冲层的 Si(001) 衬底上生长的 Si 掺杂立方 GaN
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Wang;S. Yoshida;M. Ichikawa
通讯作者：
M. Ichikawa
堆垛层错对立方GaN外延层和立方GaN/AlN多量子阱光发射影响的STEM-CL研究
DOI：
10.1002/pssc.201400154
发表时间：
2015
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
R. M. Kemper;P. Veit;C. Mietze;Anja Dempewolf;T. Wecker;F. Bertram;J. Christen;J. Lindner;D. As
通讯作者：
D. As
外延 β-GaN 薄膜中的相变和相稳定性†‡
影响因子：
--
作者：
A. Trampert;O. Brandt;K. Ploog
通讯作者：
K. Ploog
两种不同类型衬底上立方 InxGa1−xN 外延层的生长和表征
影响因子：
1.8
作者：
D. G. Pacheco;S. Li;F. Cerdeira;E. A. Meneses;J. Leite;L. Scolfaro;D. As;K. Lischka
通讯作者：
K. Lischka
立方 G A N 在 (001) G A AS 上的生长
DOI：
--
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
O. Brandt;Hui Yang;A. Trampert;K. Ploog
通讯作者：
K. Ploog