Control of flat band voltage of Si-based metal-oxide semiconductor diodes by inclusion of cesium ions in silicon dioxide
Control of flat band voltage of Si-based metal-oxide semiconductor diodes by inclusion of cesium ions in silicon dioxide
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通过在二氧化硅中包含铯离子来控制硅基金属氧化物半导体二极管的平带电压
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Kobayashi;K.Tanaka;O.Maida;H.Kobayashi
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DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Yagishita;Tomohiro Saito;K. Nakajima;S. Inumiya;K. Matsuo;T. Shibata;Y. Tsunashima;K. Suguro;T. Arikado
通讯作者：
T. Arikado
Si-MOS 的平带电压对 SiO2 中铯分布的依赖性：两种注入方法的比较
影响因子：
3.9
作者：
L. Krusin
通讯作者：
L. Krusin
H. Hashizume 等人：“GdCo 多层的 X 射线圆状二向色布拉格反射”Jpn。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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SiO2 中碘引起的金属氧化物硅结构平带电压的变化
影响因子：
4
作者：
L. Krusin;G. Sai
通讯作者：
G. Sai
用于功函数控制的 N 离子注入引起的钼栅 MOS 结构的退化
DOI：
10.1557/proc-716-b7.5
发表时间：
2002
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
Takaaki Amada;N. Maeda;K. Shibahara
通讯作者：
K. Shibahara