Minority carrier lifetimes in digitally-grown, narrow-gap, AlInAsSb alloys
Minority carrier lifetimes in digitally-grown, narrow-gap, AlInAsSb alloys
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数字生长窄带隙 AlInAsSb 合金中的少数载流子寿命
DOI：
10.1063/5.0074304
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Bank, S. R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Muhowski, A. J.;March, S. D.;Maddox, S. J.;Wasserman, D.;Bank, S. R.
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影响因子：
4.6
作者：
Yi X;Xie S;Liang B;Lim LW;Zhou X;Debnath MC;Huffaker DL;Tan CH;David JPR
通讯作者：
David JPR
影响因子：
3.2
作者：
L. Goddard;S. Bank;M. Wistey;H. Yuen;Zhilong Rao;J. Harris
通讯作者：
L. Goddard;S. Bank;M. Wistey;H. Yuen;Zhilong Rao;J. Harris
影响因子：
3.2
作者：
A. Hunter;T. C. Mcgill
通讯作者：
A. Hunter;T. C. Mcgill
影响因子：
1.9
作者：
A. Rakovská;V. Berger;X. Marcadet;B. Vinter;K. Bouzehouane;D. Kaplan
通讯作者：
A. Rakovská;V. Berger;X. Marcadet;B. Vinter;K. Bouzehouane;D. Kaplan
AlInAsSb 和 AlGaInAsSb MBE 生长的数字合金的表征
DOI：
10.1557/proc-744-m7.2
发表时间：
2002
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
--
作者：
L. Vaughn;L. Ralph;Huifang Xu;Y. Jiang;L. Lester
通讯作者：
L. Lester