Growth of AlGaN-based multiple quantum wells on SiC substrates
Growth of AlGaN-based multiple quantum wells on SiC substrates
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SiC 衬底上 AlGaN 基多量子阱的生长
DOI：
10.1007/s10854-018-8772-2
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发表时间：
2018-02
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yin Jingzhi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han Xu;Zhang Yuantao;Li Pengchong;Yan Long;Deng Gaoqiang;Chen Liang;Yu Ye;Zhao Degang;Yin Jingzhi
Al0.2Ga0.8N/Al0.45Ga0.55N 多量子阱 (MQW) 通过金属有机化学气相沉积在 SiC 衬底上生长。我们详细研究了阱宽度和势垒宽度对 AlGaN MQW 结构和光学性能的影响。钍
Al0.2Ga0.8N/Al0.45Ga0.55N multiple quantum wells (MQWs) were grown on SiC substrates by metal–organic chemical vapor deposition. We studied the influence of well width and barrier width on the structural and optical properties of AlGaN MQWs in details. Th
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影响因子：
2.3
作者：
Pernot, Cyril;Kim, Myunghee;Amano, Hiroshi
通讯作者：
Amano, Hiroshi
DOI：
10.1016/j.physe.2015.10.022
发表时间：
2016-02
影响因子：
3.3
作者：
V. Kladko;A. Kuchuk;А. Naumov;N. Safriuk;O. Kolomys;S. Kryvyi;H. Stanchu;A. Belyaev;V. Strelchuk;B. Yavich;Y. Mazur;M. Ware;G. Salamo
通讯作者：
V. Kladko;A. Kuchuk;А. Naumov;N. Safriuk;O. Kolomys;S. Kryvyi;H. Stanchu;A. Belyaev;V. Strelchuk;B. Yavich;Y. Mazur;M. Ware;G. Salamo
影响因子：
1.9
作者：
Kneissl, M.;Kolbe, T.;Weyers, M.
通讯作者：
Weyers, M.
影响因子：
3.7
作者：
Kovalev, D;Averboukh, B;Akasaki, I
通讯作者：
Akasaki, I
DOI：
10.1143/jjap.33.2453
发表时间：
1994-05-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
GUO, QX;YOSHIDA, A
通讯作者：
YOSHIDA, A