Standard Cell Structure with Flexible P/N Well Boundaries for Near-Threshold Voltage Operation
Standard Cell Structure with Flexible P/N Well Boundaries for Near-Threshold Voltage Operation
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标准单元结构，具有灵活的 P/N 阱边界，可实现近阈值电压操作
DOI：
10.1587/transfun.e96.a.2499
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Hidetoshi Onodera
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shinichi Nishizawa;Tohru Ishihara;Hidetoshi Onodera
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65 nm CMOS逻辑门最低工作电压的决定因素研究
DOI：
10.1109/islped.2011.5993598
发表时间：
2011
期刊：
IEEE/ACM International Symposium on Low Power Electronics and Design
影响因子：
--
作者：
Tadashi Yasufuku;S. Iida;H. Fuketa;K. Hirairi;M. Nomura;M. Takamiya;T. Sakurai
通讯作者：
T. Sakurai
用于估算 CMOS 逻辑门最小工作电压 (VDDmin) 的封闭式表达式
DOI：
10.1145/2024724.2024942
发表时间：
2011
期刊：
2011 48th ACM/EDAC/IEEE Design Automation Conference (DAC)
影响因子：
--
作者：
H. Fuketa;S. Iida;Tadashi Yasufuku;M. Takamiya;M. Nomura;H. Shinohara;T. Sakurai
通讯作者：
T. Sakurai
通过闭式分析了解亚阈值 CMOS 逻辑的 DC 行为
DOI：
10.1109/tcsi.2009.2034233
发表时间：
2010
期刊：
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
影响因子：
--
作者：
M. Alioto
通讯作者：
M. Alioto
适用于超低功耗应用的 45nm CMOS 0.35v 优化标准单元库
DOI：
10.1145/1594233.1594288
发表时间：
2009
期刊：
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影响因子：
--
作者：
F. Abouzeid;S. Clerc;F. Firmin;M. Renaudin;G. Sicard
通讯作者：
G. Sicard