Gas-phase reactions of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films free from powder formation
Gas-phase reactions of WF6 with SiH4 for deposition of WSin films free from powder formation
复制标题
WF6 与 SiH4 的气相反应用于沉积无粉末形成的 WSin 薄膜
DOI：
10.7567/1347-4065/ab01d4
复制
发表时间：
2019
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Toshihiko Kanayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Naoya Okada;Noriyuki Uchida;Shinichi Ogawa;and Toshihiko Kanayama
登录
查看更多内容
用于互连材料成像的氦离子二次电子模式显微镜
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Ogawa;W. Thompson;L. Stern;L. Scipioni;J. Notte;L. Farkas;Louise S. Barriss
通讯作者：
Louise S. Barriss
（特邀）先进 CMOS 领域的接触：历史与新挑战
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Lavoie;P. Adusumilli;A. Carr;J. Sweet;A. Ozcan;E. Levrau;N. Breil;E. Alptekin
通讯作者：
E. Alptekin
使用 WF6/SiH4 混合物进行钨化学气相沉积中的气体/表面反应
DOI：
10.1116/1.575855
发表时间：
1989
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
M. Yu;B. Eldridge
通讯作者：
B. Eldridge
WF6 和 SiH4 生长 WSix 薄膜时存在消光温度：表明自由基链式反应所起的作用
影响因子：
4
作者：
Takeyasu Saito;Y. Shimogaki;Y. Egashira;H. Komiyama;Y. Yuyama;K. Sugawara;S. Nagata;K. Takahiro;S. Yamaguchi
通讯作者：
S. Yamaguchi
低压化学气相沉积法在 SiO2 上沉积非晶 Si 和 Si0.7Ge0.3 的初始阶段
影响因子：
3.9
作者：
T. Yoon;D. H. Lee;Ki;S. Min
通讯作者：
S. Min