Fabrication of nickel and nickel carbide thin films by pulsed chemical vapor deposition
Fabrication of nickel and nickel carbide thin films by pulsed chemical vapor deposition
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脉冲化学气相沉积法制备镍和碳化镍薄膜
DOI：
10.1557/mrc.2018.21
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发表时间：
2018-03
影响因子：
1.9
通讯作者：
Wang Xinwei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Guo Qun;Guo Zheng;Shi Jianmin;Sang Lijun;Gao Bo;Chen Qiang;Liu Zhongwei;Wang Xinwei
我们报道了一种新的脉冲化学气相沉积（PCVD）工艺，用于沉积镍（Ni）和碳化镍（Ni3Cx）薄膜。该工艺使用双（1,4 - 二叔丁基 - 1,3 - 二氮杂丁二烯基）镍（II）前驱体，并以H₂气体或H₂等离子体作为共反应物，在……温度下（句子不完整，最后一个单词“at a tem”应为“at a temperature”，但此处未给出具体温度数值）。
We report a new pulsed chemical vapor deposition (PCVD) process to deposit nickel (Ni) and nickel carbide (Ni3Cx) thin films, using bis(1,4-ditert- butyl-1,3-diazabutadienyl)nickel(II) precursor and either H_2 gas or H_2 plasma as the coreactant, at a temperature from 140 to 250 °C. All the PCVD films are fairly pure with low levels of N and O impurities. The films deposited with H_2 gas at ≤200 °C are faced centered cubic-phase Ni metal films with low C content; but at ≥220 °C, another phase of rhombohedral Ni_3C is formed and the C content increases. However, when H_2 plasma is used, the films are always in rhombohedral Ni3C phase for the entire temperature range.
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影响因子：
3.7
作者：
Bayer, Bernhard C.;Bosworth, David A.;Michaelis, F. Benjamin;Blume, Raoul;Habler, Gerlinde;Abart, Rainer;Weatherup, Robert S.;Kidambi, Piran R.;Baumberg, Jeremy J.;Knop-Gericke, Axel;Schloegl, Robert;Baehtz, Carsten;Barber, Zoe H.;Meyer, Jannik C.;Hofmann, Stephan
通讯作者：
Hofmann, Stephan
硫化铁的原子层沉积及其在偶氮苯加氢催化剂中的应用
DOI：
10.1002/anie.201700449
发表时间：
2017
期刊：
Angewandte Chemie International Edition
影响因子：
--
作者：
Shao Youdong;Guo Zheng;Li Hao;Su Yantao;Wang Xinwei
通讯作者：
Wang Xinwei
影响因子：
3.8
作者：
Xinwei Wang;R. Gordon
通讯作者：
Xinwei Wang;R. Gordon
DOI：
10.1109/84.557524
发表时间：
1997-03
期刊：
IEEE\/ASME Journal of Microelectromechanical Systems
影响因子：
--
作者：
P. Zavracky;S. Majumder;N. McGruer
通讯作者：
P. Zavracky;S. Majumder;N. McGruer
影响因子：
6.7
作者：
Utriainen, M;Kröger-Laukkanen, M;Niinistö, L
通讯作者：
Niinistö, L