Influence of Schottky metal-semiconductor contact on the responsivity of UV photodetectors with internal gain
Influence of Schottky metal-semiconductor contact on the responsivity of UV photodetectors with internal gain
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肖特基金属-半导体接触对内增益紫外光电探测器响应度的影响
DOI：
10.1140/epjd/e2020-100587-6
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发表时间：
2020-06
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
赵新景
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
周璇;蒋大勇;赵曼;段雨晗;孙佳梅;单春才;李倩;李萌;费晓淼;赵新景
摘要采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了ZnO薄膜，并在其上制备了金属-半导体-金属（MSM）紫外光电探测器。由于增益效应，ZnO光电探测器显示出低的暗电流和外量子效率（EQE）。该器件的响应度与电压呈近似线性关系，先逐渐上升到峰值，然后急剧下降，然后又略有上升。从肖特基金属-半导体接触区载流子（电子-空穴对）输运与势垒高度关系的物理机制出发，对上述现象进行了解释。它被证明是一种简单而方便的方法来提高简单的ZnO基肖特基光电探测器的内部增益，以供未来应用。图形摘要
AbstractMetal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector is fabricated on ZnO films, prepared by radio frequency magnetron sputtering technique on quartz substrates. The ZnO photodetector shows low dark current and external quantum efficiency (EQE) due to the gain effect. The device also exhibits a near linear responsivity dependence on voltage, which gradually rise to the peak first, then fall sharply, and then slightly rise again. A physical mechanism primarily focused on the relationship between carrier (electron-hole pairs) transport and barrier height at Schottky metal-semiconductor contact is given to explain the above phenomena. It is demonstrated as a straightforward and convenient way to enhance the internal gain of the simple ZnO-based Schottky photodetectors for application in the future.Graphical abstract
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A. Adl;A. Ma;Manisha Gupta;M. Benlamri;Y. Tsui;D. Barlage;K. Shankar
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L. Kosyachenko;G. Lashkarev;A. Ievtushenko;V. Lazorenko;V. Sklyarchuk;O. Sklyarchuk
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