Invalidity of graded buffers for InAs grown on GaAs(001) a comparison between direct and graded-buffer growth
Invalidity of graded buffers for InAs grown on GaAs(001) a comparison between direct and graded-buffer growth
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分级缓冲液对于在 GaAs(001) 上生长的 InAs 的无效性直接生长与分级缓冲液生长之间的比较
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Suzuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Jeong;H. Choi;T. Suzuki
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