Reliability Study of MOS Capacitors Fabricated on 3C-SiC/Si Substrates
Reliability Study of MOS Capacitors Fabricated on 3C-SiC/Si Substrates
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3C-SiC/Si 基板上制作的 MOS 电容器的可靠性研究
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.1004.659
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Li F
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Li F
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4H-SiC 上热氧化物的时间依赖性介电击穿
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Matocha;R. Beaupre
通讯作者：
R. Beaupre
4H-SiC MOS结构的耗尽型TDDB机制
影响因子：
2
作者：
Tomokatsu Watanabe;S. Hino;T. Iwamatsu;S. Tomohisa;S. Yamakawa
通讯作者：
S. Yamakawa
具有室温下定义的欧姆接触的 3C-SiC 晶体管
影响因子：
4.9
作者：
Fan Li;Y. Sharma;D. Walker;S. Hindmarsh;M. Jennings;D. Martin;C. Fisher;P. Gammon;A. Pérez‐Tomás;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby
可靠性及可靠性测试
DOI：
10.1007/978-3-319-70917-8_12
发表时间：
2018
期刊：
IECON 2012 - 38th Annual Conference on IEEE Industrial Electronics Society
影响因子：
--
作者：
J. Lutz;H. Schlangenotto;U. Scheuermann;R. D. Doncker
通讯作者：
R. D. Doncker
影响因子：
4.9
作者：
Sharma, Y. K.;Ahyi, A. C.;Williams, J. R.
通讯作者：
Williams, J. R.