A Predictive Process Design Kit for Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
A Predictive Process Design Kit for Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
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三独立栅极场效应晶体管的预测流程设计套件
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ganesh Gore, Patsy Cadareanu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ganesh Gore, Patsy Cadareanu
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FreePDK15：适用于 15nm FinFET 技术的开源预测工艺设计套件
DOI：
10.1145/2717764.2717782
发表时间：
2015
期刊：
Proceedings of the 2015 Symposium on International Symposium on Physical Design
影响因子：
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作者：
Kirti Bhanushali;W. R. Davis
通讯作者：
W. R. Davis
多个独立栅极场效应晶体管 (MIGFET) - 多鳍 RF 混频器架构、三个独立栅极 (MIGFET-T) 操作和温度特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Digest of Technical Papers. 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005.
影响因子：
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作者：
L. Mathew;Yang Du;S. Kaipat;M. Sadd;M. Zavala;T. Stephens;R. Mora;R. Rai;S. Becker;C. Parker;D. Sing;R. Shimer;J. Sanez;A. Thean;L. Prabhu;M. Moosa;B. Nguyen;J. Mogah;G. Workman;A. Vandooren;Z. Shi;M. Chowdhury;W. Zhang;J. Fossum
通讯作者：
J. Fossum
适用于 NCSU FreePDK 45 nm 的电阻式随机存取存储器插件
影响因子：
2.4
作者：
Edouard Giacomin;P. Gaillardon
通讯作者：
P. Gaillardon
用于常规可控极性 FET 布置的新颖的基于网格的电源路由方案
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
International Symposium on Circuits and Systems
影响因子：
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作者：
O. Zografos;P. Gaillardon;G. Micheli
通讯作者：
G. Micheli
具有多个独立栅极的可重构纳米线晶体管，用于高效和可编程组合电路
DOI：
10.3850/9783981537079_0206
发表时间：
2016
期刊：
2016 Design, Automation & Test in Europe Conference & Exhibition (DATE)
影响因子：
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作者：
J. Trommer;A. Heinzig;T. Baldauf;T. Mikolajick;W. Weber;Michael Raitza;M. Völp
通讯作者：
M. Völp