Silicon Single-Electron Devices : Device Physics, Fabrication and Measurements
Silicon Single-Electron Devices : Device Physics, Fabrication and Measurements
复制标题
硅单电子器件：器件物理、制造和测量
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Michiharu Tabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
加藤真也;椎葉充晴;立川康人;市川温;Michiharu Tabe
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单电子充电效应
DOI：
10.1142/9781848164147_0002
发表时间：
2009
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Z. Durrani
通讯作者：
Z. Durrani
DOI：
10.1143/jjap.40.l29
发表时间：
2001-01-15
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Horiguchi, S;Nagase, M;Murase, K
通讯作者：
Murase, K
影响因子：
4
作者：
Saitoh, M;Hiramoto, T
通讯作者：
Hiramoto, T
长度尺度硅纳米线的单电子和量子限制限制
影响因子：
3.5
作者：
Chen Wang;Mervyn E. Jones;Z. Durrani
通讯作者：
Z. Durrani
影响因子：
10.8
作者：
S. J. Shin;J. J. Lee-J.;H. J. Kang;J. Choi;S. Yang;Yasuo Takahashi;D. Hasko
通讯作者：
S. J. Shin;J. J. Lee-J.;H. J. Kang;J. Choi;S. Yang;Yasuo Takahashi;D. Hasko