Growth rate enhancement of InAs nanowire by molecular beam epitaxy
Growth rate enhancement of InAs nanowire by molecular beam epitaxy
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分子束外延提高 InAs 纳米线的生长速率
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Bubesh Babu and Kanji Yoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高浪龍平;ら;Sugasawa K.;J. Bubesh Babu and Kanji Yoh
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3.7
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通讯作者：
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DOI：
10.1116/1.3333423
发表时间：
2010
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
P. Bartolo
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作者：
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通讯作者：
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