Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy
Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy
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使用内部光电发射显微镜绘制超高压退火 n-GaN 肖特基接触
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Tetsu Kachi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroki Imabayashi;Kenji Shiojima;and Tetsu Kachi
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影响因子：
4.1
作者：
A. Terano;Hiroyoshi Imadate;K. Shiojima
通讯作者：
A. Terano;Hiroyoshi Imadate;K. Shiojima
影响因子：
1.6
作者：
Uedono, Akira;Takashima, Shinya;Ishibashi, Shoji
通讯作者：
Ishibashi, Shoji
DOI：
10.1002/pssa.201000976
发表时间：
2011-07
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
K. Nomoto;Y. Hatakeyama;H. Katayose;N. Kaneda;T. Mishima;Tohru Nakamura
通讯作者：
K. Nomoto;Y. Hatakeyama;H. Katayose;N. Kaneda;T. Mishima;Tohru Nakamura
影响因子：
4
作者：
Look, DC;Sizelove, JR
通讯作者：
Sizelove, JR
通过氢化物气相外延和空隙辅助分离制造块状 GaN 晶体的热和光学特性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Oshima;Takayuki Suzuki;Takeshi Eri;Y. Kawaguchi;Kazutoshi Watanabe;M. Shibata;T. Mishima
通讯作者：
T. Mishima