Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition
复制标题
GaN高电子迁移率晶体管中残余碳浓度的控制及金属有机化学气相沉积生长高阻GaN的实现
DOI：
10.1016/j.tsf.2014.05.045
复制
发表时间：
2014-08
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Yang, H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, S. M.;Zhu, J. J.;Wang, H.;Yang, H.
登录
查看更多内容
影响因子：
1.4
作者：
Poblenz, C;Waltereit, P;Speck, JS
通讯作者：
Speck, JS
影响因子：
2.1
作者：
G. Parish;Sarah L. Keller;S. Denbaars;Umesh K. Mishra
通讯作者：
G. Parish;Sarah L. Keller;S. Denbaars;Umesh K. Mishra
影响因子：
1.8
作者：
Tzu-Tao Yuan;P. Kuei;L. Hsieh;Tatyana Li;Wen-Jen Lin
通讯作者：
Tzu-Tao Yuan;P. Kuei;L. Hsieh;Tatyana Li;Wen-Jen Lin
影响因子：
3.7
作者：
B. Pantha;H. Wang;N. Khan;Jingyu Lin;Hongxing Jiang
通讯作者：
B. Pantha;H. Wang;N. Khan;Jingyu Lin;Hongxing Jiang
影响因子：
1.8
作者：
Jie Chen;S. Zhang;Bingxing Zhang;Juntao Zhu;G. Feng;X. Shen;Y. Wang;H. Yang;W. Zheng
通讯作者：
Jie Chen;S. Zhang;Bingxing Zhang;Juntao Zhu;G. Feng;X. Shen;Y. Wang;H. Yang;W. Zheng