A modified zone growth method for an InGaAs single crystal
A modified zone growth method for an InGaAs single crystal
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一种改进的InGaAs单晶区带生长方法
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nishijima;H.Tezuka;K.Nakajima
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