Self-assembled nano-dots of heteroepitaxial SiC on Si
Self-assembled nano-dots of heteroepitaxial SiC on Si
复制标题
Si 上异质外延 SiC 自组装纳米点
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T.Matsumoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Matsumoto;T.Matsumoto
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金刚石、碳化硅和氮化镓薄膜的沉积和表征
DOI：
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发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Davis
通讯作者：
R. Davis
Freeman型混合离子源的研制及其性能
影响因子：
1.6
作者：
Matsumoto Takashi;K. Mimoto;S. Gotô;M. Ohba;Y. Agawa;M. Kiuchi
通讯作者：
M. Kiuchi
微波功率 SiC MESFET 和 GaN HEMT
DOI：
10.1109/lechpd.2002.1146748
发表时间：
2002
期刊：
Proceedings. IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices
影响因子：
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作者：
A. Zhang;L. Rowland;E. Kaminsky;J. Kretchmer;R. Beaupre;J. Garrett;J. Tucker
通讯作者：
J. Tucker
使用分子离子束技术在 Si (111) 上沉积立方 SiC 薄膜
DOI：
10.1557/proc-585-165
发表时间：
1999
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
Matsumoto Takashi;K. Mimoto;M. Kiuchi;S. Sugimoto;S. Gotô
通讯作者：
S. Gotô
散射中心对双势垒异质结构共振隧道效应的影响
影响因子：
3.1
作者：
Gu Benyuan;C. Coluzza;M. Mangiantini
通讯作者：
M. Mangiantini