Growth of high-quality GaN crystals on a BCN nanosheet-coated substrate by hydride vapor phase epitaxy
Growth of high-quality GaN crystals on a BCN nanosheet-coated substrate by hydride vapor phase epitaxy
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通过氢化物气相外延在 BCN 纳米片涂层衬底上生长高质量 GaN 晶体
DOI：
10.1039/c8ce01921e
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发表时间：
2019-02
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Hao Xiaopeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Baoguo;Wu Yongzhong;Zhang Lei;Huo Qin;Hu Haixiao;Ma Fukun;Yang Mingzhi;Shi Dong;Shao Yongliang;Hao Xiaopeng
本研究以氮化硼碳纳米片作为衬底涂层材料，采用氢化物气相外延法生长氮化镓（GaN）晶体。
In this study, boron carbon nitride (BCN) nanosheets were used as a substrate coating material to grow gallium nitride (GaN) crystals by hydride vapor phase epitaxy.
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