Towards the Avoidance of Counterfeit Memory: Identifying the DRAM Origin
Towards the Avoidance of Counterfeit Memory: Identifying the DRAM Origin
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避免假冒内存：识别 DRAM 来源
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Rahman, Md Tauhidur
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bahar Talukder, B. M.;Menon, Vineetha;Ray, Biswajit;Neal, Tempestt;Rahman, Md Tauhidur
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DOI：
10.1145/3084464
发表时间：
2017-06
期刊：
Proceedings of the ACM on Measurement and Analysis of Computing Systems
影响因子：
--
作者：
Donghyuk Lee;S. Khan;Lavanya Subramanian;Saugata Ghose;Rachata Ausavarungnirun;Gennady Pekhimenko;Vivek Seshadri;O. Mutlu
通讯作者：
Donghyuk Lee;S. Khan;Lavanya Subramanian;Saugata Ghose;Rachata Ausavarungnirun;Gennady Pekhimenko;Vivek Seshadri;O. Mutlu
技术支援
影响因子：
64.8
作者：
S. Lesher;Krista Anderson;S. Harris;Sarah Lantvit;D. Ph.
通讯作者：
D. Ph.
协调 IC 测试和安全二分法
DOI：
10.1109/ets.2013.6569368
发表时间：
2013
期刊：
2013 18th IEEE European Test Symposium (ETS)
影响因子：
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作者：
O. Sinanoglu;Naghmeh Karimi;Jeyavijayan Rajendran;R. Karri;Yier Jin;K. Huang;Y. Makris
通讯作者：
Y. Makris
影响因子：
3.1
作者：
Kuhn, Kelin J.;Giles, Martin D.;Mudanai, Sivakumar
通讯作者：
Mudanai, Sivakumar
DOI：
10.1109/dsn.2016.30
发表时间：
2016-06
期刊：
2016 46th Annual IEEE/IFIP International Conference on Dependable Systems and Networks (DSN)
影响因子：
--
作者：
S. Khan;Donghyuk Lee;O. Mutlu
通讯作者：
S. Khan;Donghyuk Lee;O. Mutlu