Complementary field-effect transistors for flexible electronics
Complementary field-effect transistors for flexible electronics
复制标题
用于柔性电子产品的互补场效应晶体管
DOI：
10.1117/12.2243001
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Meyers
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
U. Hilleringmann;F. F. Vidor;T. Meyers
柔性互补电子器件的关键问题是低温处理、集成p型和n型FET器件的足够性能以及廉价的半导体和介电材料。有机半导体通常表现出p型行为，而金属氧化物半导体表现出n型特性。本文提出了一种新的方法，共同集成的有机和ZnO晶体管的互补晶体管电子学的透明衬底。栅极介质由特殊的高k树脂组成，金属化利用Au和Al膜。用于处理器件的热预算被限制在120°C以实现箔衬底。
Key issues for flexible complementary electronics are low temperature processing, sufficient performance of the integrated p- and n-type FET devices, and cheap semiconducting and dielectric materials. Organic semiconductors commonly depict p-type behavior, whereas metal oxide semiconductors show n-type characteristics. This paper presents a new approach for common integration of organic and ZnO transistors on transparent substrates for complementary transistor electronics. The gate dielectric consists of a special high-k resin, the metallization utilizes Au and Al films. The thermal budget for processing of the devices is limited to 120°C to enable foil substrates.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.4
作者：
Hsu CM;Tzou WC;Yang CF;Liou YJ
通讯作者：
Liou YJ
关于有机场效应晶体管的退化
DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
Proceedings. The 16th International Conference on Microelectronics, 2004. ICM 2004.
影响因子：
--
作者：
C. Pannemann;T. Diekmann;U. Hilleringmann
通讯作者：
U. Hilleringmann
ZnO 纳米颗粒薄膜晶体管磁滞特性和分析
影响因子：
2.4
作者：
F. Vidor;G. Wirth;F. Assion;K. Wolff;U. Hilleringmann
通讯作者：
U. Hilleringmann
影响因子：
4.4
作者：
G. Horowitz;Xuezhou Peng;D. Fichou;F. Garnier
通讯作者：
G. Horowitz;Xuezhou Peng;D. Fichou;F. Garnier
影响因子：
9.5
作者：
Faber, Hendrik;Hirschmann, Johannes;Halik, Marcus
通讯作者：
Halik, Marcus