AlN Films Fabricated by Sapphire Nitridation Method
AlN Films Fabricated by Sapphire Nitridation Method
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蓝宝石氮化法制备AlN薄膜
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Fukuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
久保山宏;et al.;H. Fukuyama
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影响因子：
4
作者：
Wenhui Jiang;Junfeng Chen;Xiaoyu Liu;Z. Niu;Kuang Liu;W. Peng;Zhen Wang;Zhirong Lin
通讯作者：
Wenhui Jiang;Junfeng Chen;Xiaoyu Liu;Z. Niu;Kuang Liu;W. Peng;Zhen Wang;Zhirong Lin
影响因子：
4
作者：
Xu Jiang;Yanxia Wu;Jiawei Qi;Ying Liu;Yongsheng Wang;Jie Gao;H. Hei;Shengwang Yu
通讯作者：
Xu Jiang;Yanxia Wu;Jiawei Qi;Ying Liu;Yongsheng Wang;Jie Gao;H. Hei;Shengwang Yu
射频等离子体辅助的 PLD 工艺改进用于 AlN 生长
DOI：
10.1007/s00339-003-2325-z
发表时间：
2005
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
A. Basillais;R. Benzerga;H. Sánchez;E. Le Menn;C. Boulmer;J. Perrière
通讯作者：
J. Perrière
双离子束溅射氮化铝薄膜的表征
影响因子：
5.4
作者：
Hong;Sheng Han;H. Shih
通讯作者：
H. Shih
AlN:H 和 AlN:H-SiN:H 叠层钝化机理的研究
DOI：
10.1016/j.egypro.2014.08.062
发表时间：
2014
期刊：
Energy Procedia
影响因子：
--
作者：
G. Krugel;Franziska Jenkner;A. Moldovan;W. Wolke;J. Rentsch;R. Preu
通讯作者：
R. Preu