Similarity of Stranski-Krastanow growth of Ge/Si and SiGe/Si (001)
Similarity of Stranski-Krastanow growth of Ge/Si and SiGe/Si (001)
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Ge/Si 和 SiGe/Si (001) 的 Stranski-Krastanow 生长的相似性
DOI：
10.1063/1.4837975
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发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
Norris D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Norris D
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通过分子束外延在 GaAs 上生长的紧密堆叠 InAs 岛的自组装结构
影响因子：
1.8
作者：
Y. Nakata;Y. Sugiyama;T. Futatsugi;N. Yokoyama
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N. Yokoyama
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T. Fromherz;W. Mac;A. Hesse;G. Bauer;C. Miesner;K. Brunner;G. Abstreiter
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10.1116/1.582449
发表时间：
2000
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影响因子：
--
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通讯作者：
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DOI：
10.1002/pssa.201200363
发表时间：
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期刊：
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影响因子：
--
作者：
T. Walther;D. Norris;Y. Qiu;A. Dobbie;M. Myronov;D. Leadley
通讯作者：
D. Leadley