Development of Surface Hall Potentiometry for Characterizing Semiconductor Materials
Development of Surface Hall Potentiometry for Characterizing Semiconductor Materials
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用于表征半导体材料的表面霍尔电位法的开发
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kenta Arima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuji Hidaka;Kenji Hiwa;Mizuho Morita;Kenta Arima
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DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
ABSTRACTS of Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
影响因子：
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作者：
Kenji Hiwa;Ryoji Nakaoka;Mizuho Morita;Kenta Arima
通讯作者：
Kenta Arima
量子霍尔体系中边缘态散射中心的成像
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Woodside;C. Vale;P. McEuen;C. Kadow;K. Maranowski;A. Gossard
通讯作者：
A. Gossard
在 HF 溶液中蚀刻产生的钝化硅表面的光发射研究
影响因子：
1.9
作者：
J. Thornton;R. H. Williams
通讯作者：
R. H. Williams
影响因子：
3.7
作者：
McCormick, KL;Woodside, MT;Harris, JS
通讯作者：
Harris, JS
使用双晶压电开尔文探针进行表面光电压研究的改进装置
DOI：
10.1088/0022-3735/20/3/008
发表时间：
1987
期刊：
Journal of Physics E: Scientific Instruments
影响因子：
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作者：
K. Germanova;Ch. M. Hardalov;V. Strashilov;B. Georgiev
通讯作者：
B. Georgiev