Fabrication of one-dimensional GaAs channel-coupled InAs quantum dot memory device by selective-area metal-organic vapor phase epitaxy
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选区金属有机气相外延制备一维GaAs沟道耦合InAs量子点存储器件
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Nataraj D
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kamon J;Yamauchi T;Muto S;Takekawa S;Ito Y;Hada Y;Ogawa W;Itai A;Kasuga M;Tobe K;Kadowaki T.;ダニエル・フット;Mohan P;Takeda J;Nataraj D
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