Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology
Silicon Light Emitting Devices in CMOS Technology
复制标题
CMOS 技术中的硅发光器件
DOI：
10.1088/0256-307x/24/1/072
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
HUANG Bei-Ju
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
LIU Jin-Bin;GU Ming;LIU Hai-Jun;CHEN Hong-Da;HUANG Bei-Ju
采用标准0.35 μm 2 P4 M Mixed Mode/RF CMOS工艺实现了一种新型硅发光器件。该器件工作在反向击穿模式，可以在8.3 V下导通，并在8.3 V-12.0 V的宽电压范围内正常工作。
A novel silicon light emitting device was realized with standard 0.35 µm 2P4M Mixed Mode/RF CMOS technology. The device functions in a reverse breakdown mode and can be turned on at 8.3 V and operated normally at a wide voltage range of 8.3 V-12.0 V. An o
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