Test challenges and solutions for emerging non-volatile memories
Test challenges and solutions for emerging non-volatile memories
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新兴非易失性存储器的测试挑战和解决方案
DOI：
10.1109/vts.2018.8368632
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ghosh, Swaroop
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Khan, Mohammad Nasim;Ghosh, Swaroop
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DOI：
10.1109/tvlsi.2009.2029114
发表时间：
2011
影响因子：
2.8
作者：
S. Mukhopadhyay;R. Rao;Jae-Joon Kim;C. Chuang
通讯作者：
S. Mukhopadhyay;R. Rao;Jae-Joon Kim;C. Chuang
130nm 和 180nm CMOS 上铁电存储器的高温数据保留
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
International Memory Workshop
影响因子：
--
作者：
J. Rodriguez;C. Zhou;T. Graf;R. Bailey;Michael Wiegand;T. Wang;M. Ball;H. Wen;K. Udayakumar;S. Summerfelt;T. San;T. Moise
通讯作者：
T. Moise
阻变随机存取存储器（RRAM）的最新进展
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
影响因子：
--
作者：
Yi Wu;Shimeng Yu;X. Guan;H. Wong
通讯作者：
H. Wong
磁场攻击下的自校正STTRAM
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
Design Automation Conference
影响因子：
--
作者：
Jaedong Jang;Jongsun Park;Swaroop Ghosh;S. Bhunia
通讯作者：
S. Bhunia
STTRAM 保留测试方法
影响因子：
2
作者：
Anirudh Iyengar;Swaroop Ghosh;Srikant Srinivasan
通讯作者：
Srikant Srinivasan