4H-SiC MIS Capacitors and MISFETs with Deposited SiN_x/SiO_2 Stack-Gate Structures
4H-SiC MIS Capacitors and MISFETs with Deposited SiN_x/SiO_2 Stack-Gate Structures
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具有沉积 SiN_x/SiO_2 叠栅结构的 4H-SiC MIS 电容器和 MISFET
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Noborio;J. Suda;T. Kimoto
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.971
发表时间：
2006-10
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
H. Yano;T. Hatayama;Y. Uraoka;T. Fuyuki
通讯作者：
H. Yano;T. Hatayama;Y. Uraoka;T. Fuyuki
采用 MOCVD 生长的 Al2O3 栅极绝缘体的 4H-SiC MOSFET 的制造和表征
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.556-557.787
发表时间：
2007
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
S. Hino;T. Hatayama;N. Miura;T. Oomori;E. Tokumitsu
通讯作者：
E. Tokumitsu
化学气相沉积形成的 4H-SiC 上栅极 SiO2 的 TDDB 测量
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.600-603.799
发表时间：
2008
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
K. Fujihira;Shohei Yoshida;N. Miura;Y. Nakao;M. Imaizumi;T. Takami;T. Oomori
通讯作者：
T. Oomori
影响因子：
4.9
作者：
Kosugi, R;Suzuki, S;Fukuda, K
通讯作者：
Fukuda, K
DOI：
10.1143/jjap.44.1213
发表时间：
2005-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
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作者：
Kimoto, T;Kanzaki, Y;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H