Analysis and optimization of sputter deposited AlN-layers for flexural plate wave devices
Analysis and optimization of sputter deposited AlN-layers for flexural plate wave devices
复制标题
弯曲板波器件溅射沉积 AlN 层的分析和优化
DOI：
10.1116/1.4959580
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Vadim Lebedev
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Markus Reusch;Katarzyna Holc;Wilfried Pletschen;Lutz Kirste;Agne Žukauskaitė;Taro Yoshikawa;Dimitre Iankov;Oliver Ambacher;Vadim Lebedev
登录
查看更多内容
增强 AlN/纳米金刚石微谐振器的机械性能
影响因子：
2.3
作者：
N. Heidrich;J. Hees;W. Pletschen;R.E. Sah;L. Kirste;V. Zuerbig;C. Nebel;O. Ambacher;V. Lebedev
通讯作者：
V. Lebedev
AlN 和纳米晶金刚石膜的静态和动态表征
DOI：
10.1002/pssa.201228180
发表时间：
2012
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
F. Knoebber;Verena Zürbig;N. Heidrich;J. Hees;R. E. Sah;M. Baeumler;S. Leopold;D. Paetz;O. Ambacher;V. Lebedev
通讯作者：
V. Lebedev
在 Si(100) 衬底上外延 3C-SiC (100) 上射频溅射多晶 (100)、(002) 和 (101) 取向 AlN
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Iqbal;Kien Chaik;G. Walker;A. Iacopi;F. Mohd;S. Dimitrijev
通讯作者：
S. Dimitrijev
加速出版：直流反应磁控溅射制备 AlN 薄膜的电学特性和形貌特性
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Moreira;I. Doi;J. F. Souza;J. A. Diniz
通讯作者：
J. A. Diniz
非晶氢化硅溅射沉积过程中用高能氢原子轰击
DOI：
--
发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Tardy;R. Meaudre
通讯作者：
R. Meaudre