An Improved Superjunction Structure With Variation Vertical Doping Profile
An Improved Superjunction Structure With Variation Vertical Doping Profile
复制标题
具有变化垂直掺杂分布的改进超结结构
DOI：
10.1109/ted.2014.2372819
复制
发表时间：
2015
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chen Xingbi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lin Zhi;Huang Haimeng;Chen Xingbi
本文分析了一种改进的垂直掺杂剖面变化超结结构（VVD-SJ）。由于柱中的较高平均掺杂浓度，其特征在于比现有技术在击穿电压（BV）和比导通电阻（罗恩）之间更好的折衷。基于电荷叠加原理，推导了VVD-SJ结构的二维电场模型。优化结果表明，在相同的BV和深宽比下，VVD-SJ结构比SJ结构的导通电阻降低了约10%.目前主流的多重外延生长和注入技术适合于制作VVD-SJ功率MOSFET，且不需要额外的工艺成本。
An analysis of an improved superjunction structure with variation vertical doping profile (VVD-SJ) is presented in this brief. It features a better tradeoff between breakdown voltage (BV) and specific ON-resistance (Ron) than the prior art, due to a higher average doping concentration in columns. A simple 2-D electric field model of the VVD-SJ structure is derived based on charge superposition principle. Optimized results show that the specific ON-resistance of the VVD-SJ structure is reduced by ~10%, compared with the SJ one under the same BV and aspect ratio. The mainstream multiple epitaxial growth and implantation technology is suitable to fabricate the VVD-SJ power MOSFET without extra process cost.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/ispsd.2008.4538922
发表时间：
2008-05
期刊：
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's
影响因子：
--
作者：
D. Disney;G. Dolny
通讯作者：
D. Disney;G. Dolny
影响因子：
3.1
作者：
A. Strollo;E. Napoli
通讯作者：
A. Strollo;E. Napoli
DOI：
10.1109/ispsd.2002.1016216
发表时间：
2002-08
期刊：
Proceedings of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics
影响因子：
--
作者：
Y. Onishi;S. Iwamoto;T. Sato;T. Nagaoka;K. Ueno;T. Fujihira
通讯作者：
Y. Onishi;S. Iwamoto;T. Sato;T. Nagaoka;K. Ueno;T. Fujihira
DOI：
10.1109/ispsd.2011.5890852
发表时间：
2011-05
期刊：
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
T. Tamaki;Y. Nakazawa;H. Kanai;Y. Abiko;Y. Ikegami;M. Ishikawa;E. Wakimoto;T. Yasuda;S. Eguchi
通讯作者：
T. Tamaki;Y. Nakazawa;H. Kanai;Y. Abiko;Y. Ikegami;M. Ishikawa;E. Wakimoto;T. Yasuda;S. Eguchi
影响因子：
3.1
作者：
Huang, Haimeng;Chen, Xingbi
通讯作者：
Chen, Xingbi