Temperature effect on the submicron AlGaN/GaN Gunn diodes for terahertz frequency
Temperature effect on the submicron AlGaN/GaN Gunn diodes for terahertz frequency
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温度对太赫兹频率亚微米 AlGaN/GaN 耿氏二极管的影响
DOI：
10.1063/1.3533984
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发表时间：
2011-01
影响因子：
3.2
通讯作者：
Zhang, Jincheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Xuhu;Yao, Qingyang;An;Mao, Wei;Yang, Lin';Liu, Qi;Hao, Yue;Yang, Lin'An;Zhang, Jincheng
采用改进的GaN负微分迁移率模型，模拟了三阶Al组分AlGaN热电子注入的纤锌矿AlGaN/GaN古恩体二极管。结果表明，随着温度的升高，古恩二极管的振荡模式逐渐由偶极畴模式向积累模式转变，且模式转变与注入器长度密切相关。在300-400 K温度范围内，0.6和0.4 μm古恩二极管通常产生偶极畴模振荡，产生的基频分别为332-352 GHz和488-508 GHz，dc/rf转换效率为2%-3%，输出功率密度为109-1010 W cm−3。 在较高温度下，二极管产生积累模式振荡，最高频率分别接近680 GHz和977 GHz，dc/rf转换效率为0.5%~ 1%.
The wurtzite AlGaN/GaN Gunn diode with tristep-graded Al composition AlGaN as hot electron injector is simulated by using an improved negative differential mobility model of GaN. The results show that the oscillation mode of Gunn diode gradually shifts from dipole domain mode toward accumulation mode with increase in temperature, and the mode shift closely depends on the injector length. At the temperatures of 300–400 K, 0.6 and 0.4 μm Gunn diodes normally generate the oscillation of dipole domain mode, yielding the fundamental oscillation frequencies of 332–352 GHz and 488–508 GHz, respectively, with the dc/rf conversion efficiencies of 2%–3% and the output power densities of 109–1010 W cm−3. At higher temperatures, the diodes generate the accumulation mode oscillation, and the highest frequency approaches 680 GHz and 977 GHz, respectively, with the dc/rf conversion efficiencies of 0.5%–1%.
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影响因子：
1.7
作者：
F. Djeffal;N. Lakhdar;M. Meguellati;A. Benhaya
通讯作者：
F. Djeffal;N. Lakhdar;M. Meguellati;A. Benhaya
影响因子：
3.2
作者：
Albrecht, JD;Wang, RP;Brennan, KF
通讯作者：
Brennan, KF
影响因子：
3.2
作者：
Shiyu Chen;Gang Wang
通讯作者：
Shiyu Chen;Gang Wang
影响因子：
1.9
作者：
V. Gruzinskis;P. Shiktorov;E. Starikov;Jian H. Zhao
通讯作者：
V. Gruzinskis;P. Shiktorov;E. Starikov;Jian H. Zhao
DOI：
10.1002/pssc.200674768
发表时间：
2007-06
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
Y. Tomita;Hirofumi Ikegami;H. Fujishiro
通讯作者：
Y. Tomita;Hirofumi Ikegami;H. Fujishiro